Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA (W949D6DBHX5E TR)
Part Number: W949D6DBHX5E TR
Documents / Media: datasheets W949D6DBHX5E TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 5ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 60-TFBGA
- Исполнение корпуса: 60-VFBGA (8x9)
Цена по запросу